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石川県/電気・電子・機械技術者の転職・求人情報一覧

1 ~ 10件(全 84 件)

【石川】新車納車前の整備検査員/株式会社ゼロ[求人ID:28440]

勤務地 石川県金沢市  想定年収 350万円~400万円
仕事内容
【石川県勤務】東証二部上場企業、新車納車前の整備を最終点検する仕事です
石川整備センターでの新車納車整備における業務をお任せします。

【具体的には】
・新車架装整備終了後の車両の塗装不備の有無、動作適合判断検査業務
・検査にて不備、適合外判断が発見された場合の架装員に対する指導
・検査後保管場所(6階建)への車両移動
・車両保管、及び管理
・新車納品前整備に関わる作業全般
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【石川】機械設計会社の機械設計/株式会社アルパイン設計事務所[求人ID:25546]

勤務地 石川県金沢市  想定年収 350万円~500万円
仕事内容
県内規模トップクラスの設計事務所
産業機械に関わる機械設計に従事頂きます。

【具体的には】
・設備機械、工作機械、搬送装置
・基本仕様の打ち合わせ
・詳細設計
・図面作成


ハイエンド3Dやミドルレンジ3Dを導入しており、飲料用PETボトル,洗剤,化粧品の充填機,キャッピング機、製薬用の小型容器の無菌充填や搬送システムの設計、製薬設備や再生医療設備向けの無菌ブースの設計、食品用容器のハンドリングシステム、マシニングセンター周辺の搬送ラインの設計と幅広く携われます。

【設計環境】 
3D CAD・Solid Works,Solid Edge,ICAD、SX Mecanical Pro,NX
IRON CAD・Creo Elements、Pro
2D CAD・Advance CAD,Auto CAD LT,Micro CADAM
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのユニットプロセス)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28399]

勤務地 石川県能美市  想定年収 600万円~800万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・パワーデバイスのプロセス開発
・パワーデバイスの装置開発

300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発や化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(パワーMOSFET)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28402]

勤務地 石川県能美市  想定年収 600万円~750万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(パワーMOSFET素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーMOSFETの製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(IGBT等)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28401]

勤務地 石川県能美市  想定年収 600万円~750万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーデバイス(主にIGBT)の製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価

IGBT:産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用される
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのユニットプロセス)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28400]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・パワーデバイスのプロセス開発
・パワーデバイスの装置開発

300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発や化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのプロセスインテグレーション)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28398]

勤務地 石川県能美市  想定年収 800万円~1,000万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディスクリート半導体(特にパワー素子)に関するエンジニア業務に携わっていただきます。


【具体的には】
・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション
・評価分析
・プロセスシュミレーション(TCAD)に関する業務

同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強することに伴いプロセスインテグレーション技術者の仕事を任せます。
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(IGBT等)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28204]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーデバイス(主にIGBT)の製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価

IGBT:産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用される
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(パワーMOSFET)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28202]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(パワーMOSFET素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーMOSFETの製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのプロセスインテグレーション)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28201]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディスクリート半導体(特にパワー素子)に関するエンジニア業務に携わっていただきます。


【具体的には】
・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション
・評価分析
・プロセスシュミレーション(TCAD)に関する業務

同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強することに伴いプロセスインテグレーション技術者の仕事を任せます。
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