パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア/東芝デバイス&ストレージ株式会社
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
- 勤務地
- 石川県能美市
- 想定年収
- 450万円~1,000万円
- 雇用形態
- 正社員
- 仕事内容
- MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。
【具体的には】
・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術
・評価分析
・プロセスシミュレーション(TCAD)
※1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。
パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。