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能美市の転職・求人情報一覧

1 ~ 10件(全 20 件)

【石川】ディスプレイメーカーの経理(固定資産管理)/株式会社JOLED[求人ID:26864]

勤務地 石川県能美市  想定年収 400万円~550万円
仕事内容
世界最高水準の高い技術を誇るディスプレイメーカー
世界最高水準の技術を誇るディスプレイメーカーにて、経理業務をお任せします。

【具体的には】
・設備投資の固定資産の計上方針検討 (本体・工事の括り方、資産科目、耐用年数等)
・現物確認や経理処理
など


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【石川】半導体メーカーのプロセス生産技術/加賀東芝エレクトロニクス株式会社[求人ID:28536]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
半導体の完成品立上げまで一貫して関われます
前工程プロセス生産技術に関する業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・生産拡大のための装置評価・選定・導入・立上げ・製品展開
・歩留向上のためのプロセス改善・最適化
・製造コスト削減業務
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのユニットプロセス)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28399]

勤務地 石川県能美市  想定年収 600万円~800万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・パワーデバイスのプロセス開発
・パワーデバイスの装置開発

300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発や化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(パワーMOSFET)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28402]

勤務地 石川県能美市  想定年収 600万円~750万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(パワーMOSFET素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーMOSFETの製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(IGBT等)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28401]

勤務地 石川県能美市  想定年収 600万円~750万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーデバイス(主にIGBT)の製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価

IGBT:産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用される
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのユニットプロセス)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28400]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・パワーデバイスのプロセス開発
・パワーデバイスの装置開発

300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発や化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのプロセスインテグレーション)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28398]

勤務地 石川県能美市  想定年収 800万円~1,000万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディスクリート半導体(特にパワー素子)に関するエンジニア業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション
・評価分析
・プロセスシュミレーション(TCAD)に関する業務

同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強することに伴いプロセスインテグレーション技術者の仕事を任せます。
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(IGBT等)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28204]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(特にパワー素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーデバイス(主にIGBT)の製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価

IGBT:産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用される
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(パワーMOSFET)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28202]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体(パワーMOSFET素子)に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
パワーMOSFETの製品開発業務として
・デバイスの設計
・シュミレーション
・試作評価
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア(パワーデバイスのプロセスインテグレーション)/東芝デバイス&ストレージ株式会社[求人ID:28201]

勤務地 石川県能美市  想定年収 450万円~600万円
仕事内容
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディスクリート半導体(特にパワー素子)に関するエンジニア業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション
・評価分析
・プロセスシュミレーション(TCAD)に関する業務

同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強することに伴いプロセスインテグレーション技術者の仕事を任せます。
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