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能美市の転職・求人情報一覧
【石川】ディスプレイメーカーの経理（固定資産管理）／株式会社JOLED[求人ID:26864] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 400万円～550万円 |
| 仕事内容 |
世界最高水準の高い技術を誇るディスプレイメーカー
世界最高水準の技術を誇るディスプレイメーカーにて、経理業務をお任せします。
【具体的には】 ・設備投資の固定資産の計上方針検討 (本体・工事の括り方、資産科目、耐用年数等） ・現物確認や経理処理 など |
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【石川】半導体メーカーのプロセス生産技術／加賀東芝エレクトロニクス株式会社[求人ID:28536] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 450万円～600万円 |
| 仕事内容 |
半導体の完成品立上げまで一貫して関われます
前工程プロセス生産技術に関する業務に携わっていただきます。
【具体的には】 ・生産拡大のための装置評価・選定・導入・立上げ・製品展開 ・歩留向上のためのプロセス改善・最適化 ・製造コスト削減業務 |
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28399] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 600万円～800万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体（特にパワー素子）に関する開発業務に携わっていただきます。
【具体的には】 ・パワーデバイスのプロセス開発 ・パワーデバイスの装置開発 300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発や化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発 |
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア（パワーMOSFET）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28402] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 600万円～750万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体（パワーMOSFET素子）に関する開発業務に携わっていただきます。
【具体的には】 パワーMOSFETの製品開発業務として ・デバイスの設計 ・シュミレーション ・試作評価 |
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア（IGBT等）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28401] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 600万円～750万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体（特にパワー素子）に関する開発業務に携わっていただきます。
【具体的には】 パワーデバイス（主にIGBT）の製品開発業務として ・デバイスの設計 ・シュミレーション ・試作評価 IGBT:産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用される |
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのユニットプロセス）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28400] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 450万円～600万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体（特にパワー素子）に関する開発業務に携わっていただきます。
【具体的には】 ・パワーデバイスのプロセス開発 ・パワーデバイスの装置開発 300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発や化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発 |
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのプロセスインテグレーション）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28398] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 800万円～1,000万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディスクリート半導体（特にパワー素子）に関するエンジニア業務に携わっていただきます。
【具体的には】 ・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション ・評価分析 ・プロセスシュミレーション（TCAD）に関する業務 同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強することに伴いプロセスインテグレーション技術者の仕事を任せます。 |
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア（IGBT等）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28204] |
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| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 450万円～600万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体（特にパワー素子）に関する開発業務に携わっていただきます。
【具体的には】 パワーデバイス（主にIGBT）の製品開発業務として ・デバイスの設計 ・シュミレーション ・試作評価 IGBT:産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用される |
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【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア（パワーMOSFET）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28202] |
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|---|---|---|---|
| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 450万円～600万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディクリート半導体（パワーMOSFET素子）に関する開発業務に携わっていただきます。
【具体的には】 パワーMOSFETの製品開発業務として ・デバイスの設計 ・シュミレーション ・試作評価 |
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【石川】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア（パワーデバイスのプロセスインテグレーション）／東芝デバイス＆ストレージ株式会社[求人ID:28201] |
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|---|---|---|---|
| 勤務地 | 石川県能美市 | 想定年収 | 450万円～600万円 |
| 仕事内容 |
パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます
ディスクリート半導体（特にパワー素子）に関するエンジニア業務に携わっていただきます。
【具体的には】 ・シリコンパワーデバイスのプロセスインテグレーション ・評価分析 ・プロセスシュミレーション（TCAD）に関する業務 同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強することに伴いプロセスインテグレーション技術者の仕事を任せます。 |
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