能美市の求人情報

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半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます。

勤務地: 石川県能美市
想定年収: 450万円～1,000万円
雇用形態: 正社員
仕事内容: ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する開発業務に携わっていただきます。

【具体的には】
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務

【加賀分室の対象デバイス】
・IGBT、ダイオード、パワーモジュール
・パワーMOSFET

パワー半導体の開発から製品立上げまで一貫して関われます

勤務地: 石川県能美市
想定年収: 450万円～1,000万円
雇用形態: 正社員
仕事内容: MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発をお任せします。

【具体的には】
・パワーデバイスのプロセス開発
・パワーデバイスの装置開発

※各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
※各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

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